{"product_id":"transistor-mosfet-canal-p-50-v-18-a-0-14-74-w-to-220ab","title":"Transistor MOSFET \/ Canal P \/ 50 V \/ 18 A \/ 0.14 Ω \/ 74 W \/ TO-220AB | SIERRA STORE","description":"\u003cdiv\u003e\n\u003cp\u003eTransistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eCaracterísticas principales\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eMOSFET canal P con tecnología de óxido metálico\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVoltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eCorriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eResistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eDisipación de potencia máxima: 74 W\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eCapacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eCarga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVoltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVoltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eRango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eMontaje: Through hole, encapsulado TO-220AB\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eEspecificaciones técnicas\u003c\/h3\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eTipo de FET\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003eP-Channel MOSFET\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eVDSS\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e50 V\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eID @ 25°C\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e18 A (TC)\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eRDS(on) máx.\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e140 mΩ @ 9.3 A, 10 V\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eVoltaje de drive\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e10 V (máx. RDS on, mín. RDS on)\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eVGS(th) máx.\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e4 V @ 250 µA\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eQg máx. @ VGS\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e39 nC @ 10 V\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eVGS máx.\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e±20 V\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eCiss máx. @ VDS\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e900 pF @ 25 V\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eDisipación máx.\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e74 W (TC)\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eTemperatura operación\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e-55°C ~ 150°C (TJ)\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003eEncapsulado\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003eTO-220AB, Through hole\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SYSCOM","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":52844813091127,"sku":"IRF9Z30","price":79.13,"currency_code":"MXN","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0699\/9487\/3143\/files\/portada_0S400_737781a5-8e7c-442d-966f-6d61878b5ccf.png?v=1786750194","url":"https:\/\/sierrastore.mx\/products\/transistor-mosfet-canal-p-50-v-18-a-0-14-74-w-to-220ab","provider":"SIERRASTORE","version":"1.0","type":"link"}