Silicio de alto voltaje para circuitos exigentes
Alta velocidad de conmutación en aplicaciones industriales
Diseño optimizado para cargas inductivas de potencia
Encapsulado robusto para disipación térmica eficiente
Operación confiable en reguladores y convertidores
Compatible con topologías de conmutación de alta frecuencia

Este transistor de potencia NPN fabricado en silicio está diseñado para aplicaciones que demandan alto voltaje y corriente significativa. Con una capacidad de 400 V entre colector y base y una corriente máxima de 10 A, es ideal para circuitos de conmutación de potencia donde se requiere rapidez de respuesta y manejo de cargas inductivas. Su encapsulado TO-247 permite una disipación térmica de hasta 80 W, facilitando su integración en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y sistemas de control industrial. La arquitectura de alta velocidad lo posiciona como componente clave en diseños donde la eficiencia de conmutación reduce pérdidas y mejora el rendimiento general del sistema.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio con alto voltaje de operación
  • Corriente máxima de colector de 10 A para alta potencia
  • Capacidad de disipación térmica de 80 W
  • Encapsulado TO-247 para montaje industrial y disipación eficiente
  • Diseño de alta velocidad de conmutación
  • Optimizado para circuitos inductivos de potencia conmutada

Aplicaciones Típicas

  • Circuitos inductivos de potencia conmutada
  • Reguladores de switcheo (SMPS)
  • Convertidores DC-DC y AC-DC
  • Inversores y drivers de motor

Especificaciones Técnicas

Tipo de Dispositivo
Transistor NPN de Silicio
Voltaje Colector-Base (VCBO)
400 V
Corriente de Colector (IC)
10 A
Potencia de Disipación (PD)
80 W
Encapsulado
TO-247
Característica de Velocidad
Alta velocidad de conmutación
Aplicación Primaria
Circuitos inductivos de potencia conmutada

Características de Diseño

Alto Voltaje
Capacidad de bloqueo de 400 V permite operación en topologías de bus elevado como PFC y rectificadores.
Alta Velocidad
Tiempos de conmutación reducidos minimizan pérdidas por switching en frecuencias elevadas.
Cargas Inductivas
Estructura interna optimizada para manejo seguro de energía almacenada en bobinas y transformadores.