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Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD
- Precio regular
- $ 929.84
Marca: Sierra Select
- Precio regular
- $ 929.84
SKU: MRF-1517-T1
IVA INCLUIDO
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| Alta ganancia de potencia de 11 dB |
| Eficiencia del 55% en operación RF |
| Operación estable hasta 520 MHz |
| Excelente estabilidad térmica integrada |
| Soporta VSWR 20 1 en condiciones extremas |
| Encapsulado SMD para montaje superficial |
Alternativas similares
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Proveedor: Sierra Select
Capacitor Electrolítico Radial / 1000 µF / 10 V / Tolerancia ±20% / -40 °C a +85 °C
1000M0010V
Sin reseñasPrecio regular $ 20.30IVA incluido 17 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Capacitor Electrolítico Radial / 470 µF / 35 Vcc / 105 °C / 10 x 20 mm
140XRL354470
Sin reseñasPrecio regular $ 14.84IVA incluido 12 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Capacitor Electrolítico Radial / 3300 µF / 25 Vcc / 105 °C / 18 x 25 mm
3300MF25V
Sin reseñasPrecio regular $ 79.79IVA incluido 81 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Capacitor Electrolítico / 4700 µF / 25 V / Filtrado y Almacenamiento / Tamaño Compacto
4700M0025V
Sin reseñasPrecio regular $ 33.93IVA incluido 55 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Regulador de Voltaje Positivo / 5V / 100 mA / TO-92 / Protección Térmica y Cortocircuito
78-L05
Sin reseñasPrecio regular $ 20.52IVA incluido 26 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Circuito Integrado / Procesador de Deflexión Vertical / Salida PWM / 12V DC / Protección Térmica
AN5763
Sin reseñasPrecio regular $ 97.34IVA incluido 19 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Circuito Integrado Interruptor Cuádruple Bilateral / DIP-14 / 3V a 18V / -55°C a 125°C / Resistencia On 125 Ω
CD4066BE
Sin reseñasPrecio regular $ 24.80IVA incluido 20 pzas. -
Proveedor: Sierra Select
Capacitor Electrolítico / 4.7 µF / 50 Vcc / Radial / 105 °C / 5 x 11.7 mm
CE4.7/50V
Sin reseñasPrecio regular $ 7.86IVA incluido 9 pzas.
Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.
Características principales
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
- Potencia de salida: 8 W
- Voltaje de operación: 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia: 11 dB
- Eficiencia en RF: 55%
- Diseño SMD para montaje superficial
- Excelente estabilidad térmica
- Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Especificaciones técnicas
Aplicaciones típicas
- Amplificadores de fuente común de gran señal
- Equipos FM portátiles de 7.5 V
- Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
- Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz