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Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación

$ 750.84

Marca: Sierra Select

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SKU: MRF644

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Silicio avanzado para alta eficiencia térmica
Impedancia controlada entrada y salida
Disipación de 103 W a 25°C con derating
Resistencia térmica baja de 1.7°C/W
Rango operativo -65°C a +150°C
Ruptura colector-base de 36 VDC

Transistor NPN de Potencia RF para Aplicaciones de 470 MHz

Este transistor NPN de potencia RF está diseñado para operar eficientemente en la banda de 470 MHz, ofreciendo una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 watt. Fabricado con tecnología de silicio avanzada, proporciona impedancia controlada tanto en entrada como en salida, facilitando el diseño de etapas amplificadoras sin necesidad de redes de adaptación complejas. Su arquitectura térmica optimizada permite manejar elevadas densidades de potencia en aplicaciones de transmisión de RF, broadcast y telecomunicaciones profesionales.

El dispositivo incorpora especificaciones eléctricas robustas que garantizan operación estable bajo condiciones de carga variables, con voltajes de ruptura conservadores que proporcionan margen de seguridad en diseños de alta fiabilidad para infraestructura crítica de comunicaciones.

Características Principales

  • Tecnología de silicio avanzada para máxima eficiencia
  • Impedancia de entrada y salida controlada
  • Alta ganancia de potencia: 6.2 dB a 470 MHz
  • Disipación térmica de 103 W con derating de 0.59 W/°C
  • Resistencia térmica juntura-carcaza de 1.7 °C/W
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C

Especificaciones Técnicas

Parámetros de RF

Frecuencia de operación470 MHz
Ganancia de potencia6.2 dB
Potencia de salida25 W

Ratings Máximos

VCEO (Voltaje colector-emisor)16 VDC
VCBO (Voltaje colector-base)36 VDC
VEBO (Voltaje emisor-base)4.0 VDC
Corriente de colector (IC)4.0 ADC
Disipación total (TC=25°C)103 W

Características Térmicas

Resistencia térmica (RθJC)1.7 °C/W
Derating sobre 25°C0.59 W/°C
Rango temperatura almacenamiento-65 a +150 °C

Características Eléctricas (TC=25°C)

V(BR)CEO (IC=20 mADC, IB=0)16 VDC
V(BR)CBO (IC=20 mADC, VBE=0)36 VDC
V(BR)EBO (IE=5.0 mADC, IC=0)4.0 VDC
Corriente fuga colector (VCE=15 VDC)≤5.0 mADC