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Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB | SIERRA STORE

$ 80.70

Marca: SYSCOM

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SKU: IRF9Z30

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Montaje through-hole en PCB estándar
Rango operativo -55°C a 150°C de unión
Carga de compuerta 39 nC para conmutación eficiente
Capacitancia de entrada 900 pF controlada
Voltaje de compuerta ±20 V para protección robusta
Encapsulado TO-220AB con disipación térmica optimizada

Accesorios compatibles

Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.

Características principales

  • MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
  • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
  • Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
  • Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
  • Disipación de potencia máxima: 74 W
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
  • Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
  • Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
  • Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
  • Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
  • Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB

Especificaciones técnicas

Tipo de FET
P-Channel MOSFET
VDSS
50 V
ID @ 25°C
18 A (TC)
RDS(on) máx.
140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
Voltaje de drive
10 V (máx. RDS on, mín. RDS on)
VGS(th) máx.
4 V @ 250 µA
Qg máx. @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS máx.
±20 V
Ciss máx. @ VDS
900 pF @ 25 V
Disipación máx.
74 W (TC)
Temperatura operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulado
TO-220AB, Through hole