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Transistor MOSFET / Doble Puerta / Canal N / 105 MHz / Encapsulado TO-18 | SIERRA STORE

$ 47.55

Marca: SYSCOM

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SKU: MFE130

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Doble puerta para alta eficiencia energética
Canal N para control preciso del flujo eléctrico
Operación optimizada hasta 105 MHz
Encapsulado TO-18 compacto y robusto
Alto aislamiento con tecnología de interfaz avanzada
Diseño especializado para aplicaciones de alta frecuencia

Accesorios compatibles

Este transistor MOSFET de doble puerta con canal N está diseñado para aplicaciones que demandan alta eficiencia y control preciso del flujo eléctrico. Su arquitectura de doble puerta permite una modulación superior de la señal, resultando ideal para circuitos de radiofrecuencia y comunicaciones. Opera eficientemente en bandas de frecuencia de hasta 105 MHz, garantizando estabilidad térmica y eléctrica en condiciones exigentes. El encapsulado TO-18 ofrece una construcción compacta y mecánicamente resistente, facilitando su integración en equipos profesionales de telecomunicaciones, instrumentación y sistemas de RF.

Características Principales

  • Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
  • Canal N para control preciso del flujo eléctrico
  • Frecuencia máxima de operación de 105 MHz
  • Encapsulado TO-18 compacto y resistente
  • Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz
  • Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia

Especificaciones Técnicas

Tipo de Dispositivo
Transistor MOSFET
Configuración de Puerta
Doble Puerta
Tipo de Canal
Canal N
Frecuencia Máxima
105 MHz
Encapsulado
TO-18
Aislamiento
Alto (tecnología de interfaz avanzada)