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Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07 | SIERRA STORE

$ 240.14

Marca: SYSCOM

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SKU: MRF433

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Alta eficiencia en aplicaciones de radiofrecuencia
Rango de frecuencia optimizado para HF
Manejo de potencia de 12.5 watts continua
Voltaje colector-emisor de 12.5 Vcc
Encapsulado estándar para montaje simplificado
Silicio NPN para estabilidad térmica

Accesorios compatibles

Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.

Características principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
  • Potencia máxima de salida: 12.5 watts
  • Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
  • Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
  • Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia

Especificaciones técnicas

Tipo
Transistor de silicio NPN
Rango de frecuencia
2 - 30 MHz
Voltaje colector-emisor
12.5 Vcc
Potencia de salida
12.5 W
Encapsulado
211-07