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Marca: SYSCOM PARTS

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SKU: RD70HUF2

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Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
Diodo integrado de protección para la puerta
Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Disipación térmica de canal de 300W
Resistencia térmica de 0.5°C/W
Empaque en cinta y carrete de 500 unidades

Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.

Características Principales

  • Potencia de salida de hasta 84W típica
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
  • Diodo integrado de protección para la puerta
  • Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
  • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete

Especificaciones Eléctricas

Tensión Drenaje-Fuente
40V (máx.)
Tensión Puerta-Fuente
-5V / +10V
Disipación del Canal
300W
Corriente de Drenaje
20A (máx.)
Temperatura de Canal
175°C
Resistencia Térmica
0.5°C/W

Desempeño RF

Banda VHF: 135-175 MHz

Potencia de Salida
84W típico
Eficiencia
74% típico
Potencia de Entrada
4.0W

Banda UHF: 450-530 MHz

Potencia de Salida
75W típico
Eficiencia
64% típico
Potencia de Entrada
5.5W

Información de Empaque

Formato
Cinta y Carrete
Cantidad por Carrete
500 unidades