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Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM | SIERRA STORE

$ 94.43

Marca: SYSCOM PARTS

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SKU: 2SC-3320

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Silicio para alta potencia y eficiencia térmica
Baja caída de saturación de 1.0 V para menor pérdida
Apto para reguladores de switcheo e inversores
Compatible con generadores ultrasónicos de alta frecuencia
Empaque TO-3PM para montaje confiable y disipación
Amplificadores de potencia de uso general
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Accesorios compatibles

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    1OHM5W

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    IVA incluido 8 pzas.

Transistor de Potencia NPN en Silicio

Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
  • Corriente máxima de colector (IC) de 15 A
  • Disipación de potencia (PC) hasta 80 W
  • Baja caída de voltaje en saturación VCE(sat): 1.0 V
  • Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica

Aplicaciones Típicas

  • Reguladores de switcheo (SMPS)
  • Inversores de alta frecuencia
  • Generadores ultrasónicos
  • Amplificadores de potencia de uso general

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipación de Potencia
PC = 80 W
Tensión de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensión de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturación
1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
VBE(sat) Saturación
1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Encapsulado
TO-3PM