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Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C | SIERRA STORE

$ 2,553.99

Marca: TPL COMMUNICATIONS

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SKU: B2-189

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Transistor dual MOSFET N-canal hasta 175 MHz
Alta ganancia 14.5 dB a 12.5 V
Eficiencia 55% con disipación 165 W
Impedancia entrada 4.1 + j0.5 @ 135 MHz
Resistencia térmica 0.75°C/W para operación a 200°C
Soporta VSWR 20 1 con protección sobrecalentamiento
  • Clip plástico para radios A520T y A580T - ABELL

    ABELL

    Clip plástico para radios A520T y A580T

    ABC-580

    Precio regular $ 51.01
    IVA incluido Disponible

Este transistor dual MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento lateral está diseñado para aplicaciones de RF de banda ancha hasta 175 MHz. Ofrece alta ganancia de potencia de 14.5 dB con una alimentación de 12.5 V, logrando una eficiencia del 55% con disipación térmica de 165 W. Su resistencia térmica de 0.75°C/W permite operación confiable hasta 200°C de temperatura de unión. Incluye protección contra sobrecalentamiento y soporta condiciones de desajuste de antena VSWR 20:1, ideal para amplificadores de potencia en comunicaciones profesionales.

Características Principales

  • Transistor dual MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
  • Diseño optimizado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
  • Alta ganancia y estabilidad térmica en operación continua
  • Paquete plástico con capacidad de operación hasta 200°C
  • Terminales libres de plomo, cumplen con normativa RoHS
  • Protección integrada contra sobrecalentamiento

Especificaciones Técnicas

Especificaciones RF

Frecuencia máxima: 175 MHz

Potencia de salida: 50 W

Tensión de alimentación: 12.5 V

Ganancia de potencia: 14.5 dB

Eficiencia: 55%

Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz

Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz

Especificaciones Eléctricas

Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 VDC

Tensión compuerta-fuente: ±20 VDC

Corriente de drenaje: 12 A DC

Disipación total: 165 W @ 25°C

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia térmica: 0.75°C/W

Temperatura máxima de unión: 200°C

VSWR soportado: 20:1

Protección: Sobrecalentamiento integrada

Terminales: Libres de plomo (RoHS)

Encapsulado: Plástico de alta temperatura