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Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM | SIERRA STORE

$ 4,081.26

Marca: TPL COMMUNICATIONS

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SKU: B2-160

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Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
Impedancia optimizada entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
Voltajes de ruptura elevados VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF

  • TPL COMMUNICATIONS

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    B2-223

    Precio regular $ 2,105.04
    IVA incluido 3 pzas.
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    ABELL

    Clip plástico para radios A520T y A580T

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    35316

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    IVA incluido 5 pzas.

  • Sierra Parts

    Fusible Automotriz de 10 Amper.

    FUSIBLEAUTO10A

    Precio regular $ 2.63
    IVA incluido Disponible

  • RAMSEY

    Capacitor de Tantalio tipo SMD de 100 uFd, 10 Vcc para C12, C13 y C25 del Monitor COM-3010.

    CATA-5

    Precio regular $ 138.02
    IVA incluido 2 pzas.

  • RAMSEY

    Capacitor Electrolítico de 680 uFd (o 1000 uFd), 16 Vcc para C1 y C3 del MONITOR COM-3010.

    CAEL-38

    Precio regular $ 124.13
    IVA incluido 1 pzas.

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.

Características Generales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 W
  • Voltaje de colector de 12.5 Vcc
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética
  • Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

  • Frecuencia: 175 MHz
  • Potencia de salida: 100 W
  • Relación de ganancia: 6.0 dB
  • Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
  • Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
  • Corriente de colector (IC): 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W

Especificaciones Térmicas

  • Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C