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Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC. | SIERRA STORE

$ 1,006.67

Marca: TPL COMMUNICATIONS

$ 1,006.67

SKU: MRF-1550-FNT1

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Transistor RF de potencia N-Channel MOSFET
Frecuencia máxima 175 MHz
Potencia de salida 50 W
Ganancia 14.5 dB
Eficiencia del 55%
Paquete plástico TO-272-6

  • Transistor MOSFET Canal-N / 200 V / 18 A / 125 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad

    IRF-640

    Precio regular $ 49.91
    IVA incluido Disponible

  • TPL COMMUNICATIONS

    Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

    B2-160

    Precio regular $ 4,081.26
    IVA incluido 4 pzas.

  • TOTAL GROUND

    Electrodo de puesta a tierra / 400 A / Filtro LCR / Compuesto H2Ohm / Acoplador TGC1 1500 A / Diseño Delta tubular

    TG-400K

    Precio regular $ 30,988.46
    IVA incluido 10 pzas.
  • Antena Fibra de Vidrio en VHF para 144-174 MHz, 6.7 dB de ganancia, 5 MHz de ancho de banda, 200 Watt. - TRAM BROWNING

    TRAM BROWNING

    Antena Fibra de Vidrio en VHF para 144-174 MHz, 6.7 dB de ganancia, 5 MHz de ancho de banda, 200 Watt.

    1490

    Precio regular $ 3,049.65
    IVA incluido Disponible

  • KLEIN TOOLS

    Pinzas Pelacables para Cable Sólido 8-16 AWG y Cable Trenzado 10-18 AWG; de 8 Pulgadas.

    J206-8C

    Precio regular $ 1,875.17
    IVA incluido 14 pzas.

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC

Características Principales

  • Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
  • Frecuencia máxima: 175 MHz
  • Potencia de salida: 50 W
  • Voltaje de alimentación: 12.5 V
  • Ganancia: 14.5 dB
  • Eficiencia: 55%
  • Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V
  • Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω
  • Paquete plástico con capacidad hasta 200°C

Características Avanzadas

  • Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales
  • Alta estabilidad térmica
  • Capaz de manejar VSWR de 20:1
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande
  • Amplia banda: 135-175 MHz
  • Paquete TO-272-6 plástico
  • Cumple con RoHS (sin plomo)
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
  • Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

Ratings Máximos

  • Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a +40 Vdc
  • Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 Vdc
  • Corriente de drenador (ID): 12 Adc
  • Disipación total del dispositivo (PD): 165 W @ TC = 25°C
  • Derating: 0.50 W/°C por encima de 25°C
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
  • Temperatura de unión: 200 °C

Características Térmicas

  • Resistencia térmica (RθJC): 0.75 °C/W
  • Clasificación de sensibilidad a la humedad: Nivel 3
  • Temperatura máxima de pico: 260 °C
  • Temperatura de unión: 200 °C

Características Eléctricas

  • Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): ≤1 μAdc
  • Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): ≤0.5 μAdc
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
  • Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

RF Características

  • Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB
  • Eficiencia: 55%
  • Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
  • Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
  • Frecuencia de prueba: 175 MHz

Diseño y Aplicaciones

  • Diseñado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz)
  • Adecuado para equipos móviles de FM a 12.5 V
  • Requiere disipación térmica adecuada en el diseño
  • Tecnología Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia
  • Protección contra voltaje transitorio mediante circuito externo
  • Circuito de polarización de compuerta mediante divisor resistivo
  • Capaz de operar con cargas desajustadas

Consideraciones de Manejo

  • Requiere precauciones contra descarga electrostática
  • No dejar la compuerta abierta o flotante
  • Recomendado para montaje superficial automático
  • Máxima corriente de polarización: 500 mA
  • Requiere circuito de protección externo para la compuerta
  • Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente

Especificaciones de Prueba

Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones:

  • Voltaje de alimentación (VDD): 12.5 Vdc
  • Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
  • Potencia de salida (Pout): 50 W
  • Frecuencia de prueba: 175 MHz

Información de Fabricación

  • Paquete: TO-272-6 PLASTIC
  • Estilo de paquete: CASE 1264A-03, STYLE 1
  • Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
  • Conformidad: RoHS, sin plomo (sufijo N)

Parámetros S Comunes

A 12.5 Vdc, IDQ = 500 mA:

  • S11: 0.95 -178° @ 175 MHz
  • S21: 1.349 61° @ 175 MHz
  • S12: 0.008 -8° @ 175 MHz
  • S22: 0.90 -174° @ 175 MHz